RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Сравнить
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Средняя оценка
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
39
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
15.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3867
2680
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-DI 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link