G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 29

Около 10% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.8 15.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 12.9

Среднее значение в тестах

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

23400 19200

Около 1.22 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR5 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 29
Скорость чтения, Гб/сек

17.8 15.6
Скорость записи, Гб/сек

15.7 12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 23400

Other

Описание

PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

no data / 2400 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3867 3093

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology C 8GB

Crucial Technology C 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB

модули RAM

Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB

модули RAM