RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сравнить
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB против AMD R9S48G3206U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Средняя оценка
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около 19% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.6
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
13.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.6
Скорость записи, Гб/сек
13.7
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3254
3518
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link