Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

-->

Средняя оценка

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,066.5 11.4

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 49

Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 24
Скорость чтения, Гб/сек

4,577.1 16.0
Скорость записи, Гб/сек

2,066.5 11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

737 2280

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

Kingston 9905700-011.A00G 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

Kingston 9965600-012.A01G 16GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

Kingston 9905734-061.A00G 32GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

Kingston K821PJ-MIH 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB

модули RAM