RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
49
Около -145% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
20
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3022
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link