RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3497
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link