RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3584
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link