RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
49
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
21
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2822
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link