RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около -36% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2734
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link