RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
53
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.0
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
53
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2316
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link