RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3222
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link