RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
49
Около -96% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3912
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link