RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
49
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3049
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link