RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3372
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link