RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3711
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link