RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
49
Около -158% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
19
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
20.2
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3905
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-MIH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link