RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2664
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link