RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.9
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2800
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link