RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
49
Около -172% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
20.4
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3814
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link