RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
49
Около -32% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2973
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link