RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Super Talent F24UB16GV 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Super Talent F24UB16GV 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
3046
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link