RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.5
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
15.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2524
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link