RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
74
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.7
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
74
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1616
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 994104 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link