RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
63
Около 2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
17
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
63
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2045
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link