RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
62
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3075
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link