RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.7
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3291
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link