RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
62
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2863
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link