Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 14.4

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 62

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.3 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 37
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 14.4
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 2712

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

Kingston K1CXP8-MIE 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

Kingston XRGM6C-MIB 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

KingSpec KingSpec 16GB

KingSpec KingSpec 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

Kingston XRMWRN-MIE 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB

модули RAM