RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
62
Около -170% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3125
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link