RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.5
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3199
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link