RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3148
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link