RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3546
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link