RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.4
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
10.6
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2503
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5428-049.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CM3X8GA1600C10V2 8GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link