Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

-->

Средняя оценка

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 62

Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи

16.1 1,843.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

62 28
Скорость чтения, Гб/сек

3,556.6 17.8
Скорость записи, Гб/сек

1,843.6 16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

542 3848

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB

модули RAM

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KP223C-ELD 2GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

Kingston 9905744-077.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

модули RAM