RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3486
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link