RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
40
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2254
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link