Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 16.8
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    48 left arrow 62
    Около -29% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    15.7 left arrow 1,843.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 6400
    Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 48
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,556.6 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,843.6 left arrow 15.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    542 left arrow 3047
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения