Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    62 left arrow 76
    Около 18% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 15.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.9 left arrow 1,843.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 6400
    Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 76
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,556.6 left arrow 15.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,843.6 left arrow 7.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    542 left arrow 1859
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения