RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
64
Около 3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.5
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
64
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2197
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link