RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2833
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link