RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2588
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston ASU1333D3S9DR8/2G 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link