RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2781
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link