RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2989
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link