RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2240
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link