RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
19.6
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3832
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link