Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB против Kingston 9905783-025.A01G 16GB

-->

Средняя оценка

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Средняя оценка

Kingston 9905783-025.A01G 16GB

Kingston 9905783-025.A01G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9905783-025.A01G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9905783-025.A01G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.9 16

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.5 12.6

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston 9905783-025.A01G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR5
Задержка в PassMark, нс

37 37
Скорость чтения, Гб/сек

16.0 16.9
Скорость записи, Гб/сек

12.6 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 19200

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz no data / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2808 3395

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB

A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB

Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB

Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB

модули RAM

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1600C9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB

модули RAM