Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 35
    Около 23% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    16.8 left arrow 16.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.7 left arrow 11.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 16.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 13.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2756 left arrow 3306
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения