RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.4
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3447
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link