RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3222
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link