RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2426
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link